Помилка у тексті? Виділи її мишкою та нажми Ctrl + F1 або ж клікни по цьому блоку!

Транзистор КП303И Ni

  • Транзистор КП303И Ni
Артикул: 26675
на складі (2257 шт.)
11 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,55 грн. 5 10,45 грн.
50+ 1,10 грн. 10 9,90 грн.
100+ 2,20 грн. 20 8,80 грн.

Транзистори КП303И кремнієві епітаксійно-планарні польові із затвором на основі pn переходу та каналом n-типу.

Основні технічні характеристики транзистора КП303И:
• Структура транзистора: з pn-переходом та n-каналом;
• Рсі max - потужність, що розсіюється, стік-витік: 200 мВт;
• Uзі отс - напруга відсічення транзистора - напруга між затвором і витоком: 0,5...2 В;
• Uсі max - Максимальна напруга сток-витік: 25 В;
• Uзс max - Максимальна напруга затвор-стік: 30 В;
• Uзі max - Максимальна напруга затвор-витік: 30 В;
• Iс - Струм стоку (постійний): 20 мА;
• Iс поч - Початковий струм стоку: 1,5 ... 5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2...6 мА/В;
• С11і – Вхідна ємність транзистора – ємність між затвором та витоком: не більше 6 пФ;
• С12і - Ємність зворотного зв`язку у схемі із загальним витоком при короткому замиканні на вході змінного струму: не більше 2 пФ.

БрендСНГ
СтруктураМОП n-канальний
Тип транзистораПольовий
Напруга сток-витік25В
Струм стоку20мА
Потужність200мВт
Тип корпусу транзистораКТ-1
Тип монтажуDIP
Вага г.0.4
Заводська упаковка100шт.

Залиште відгук про цей товар першим!


Знижка− 0 грн.
Партнерська знижка− 0 грн.
Разом0 грн.

Ваш кошик порожній.