Транзистор 2Т831В

  • Транзистор 2Т831В
Артикул: 28852
на складе (11 шт.)
44 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 2,20 грн. 5 41,80 грн.
50+ 4,40 грн. 10 39,60 грн.
100+ 8,80 грн. 20 35,20 грн.

Основные технические характеристики транзистора 2Т831В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность1Вт
Тип корпуса транзистораTO39
Тип монтажаDIP
Вес г.1
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 70В
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току25
Частота4МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.