Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
| Название | Скидка | Скидка, % | Цена |
|---|---|---|---|
| 10+ | 0,40 грн. | 5 | 7,60 грн. |
| 50+ | 0,80 грн. | 10 | 7,20 грн. |
| 100+ | 1,60 грн. | 20 | 6,40 грн. |
Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс.
| Бренд | СНГ |
| Структура | PNP |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Мощность | 150мВт |
| Тип монтажа | DIP |
| Вес г. | 2 |
| Заводская упаковка | 100шт. |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 20В |
| Ток коллектора | 120мА |
| Коэффициент усиления по току | 120 |
| Частота | 120МГц |
Отзывы
Оставьте отзыв об этом товаре первым!