Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)

  • Транзистор 1Т308Б (=ГТ308Б)
Артикул: 24599
нет на складе
8 грн.
Повідомити про наявність
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,40 грн. 5 7,60 грн.
50+ 0,80 грн. 10 7,20 грн.
100+ 1,60 грн. 20 6,40 грн.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность150мВт
Тип монтажаDIP
Вес г.2
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 20В
Ток коллектора120мА
Коэффициент усиления по току120
Частота120МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.