Транзистор ГТ308В

  • Транзистор ГТ308В
Артикул: 25668
на складе (2 шт.)
12 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,60 грн. 5 11,40 грн.
50+ 1,20 грн. 10 10,80 грн.
100+ 2,40 грн. 20 9,60 грн.

Транзисторы ГТ308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.

Основные технические характеристики транзистора ГТ308В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц);
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность150мВт
Тип корпуса транзистораКТЮ-3-3
Тип монтажаDIP
Вес г.1.8
Заводская упаковка100шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 15В
Ток коллектора50мА
Коэффициент усиления по току150
Частота120МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.