Транзистор КТ827Б

  • Транзистор КТ827Б
Артикул: 28500
нет на складе
100 грн.
Повідомити про наявність
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 5 грн. 5 95 грн.
50+ 10 грн. 10 90 грн.
100+ 20 грн. 20 80 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ827Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Тип корпуса транзистораTO3
Тип монтажаDIP
Вес г.15
Заводская упаковка40шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 80В
Ток коллектора20А
Коэффициент усиления по току750
Частота4МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.