Транзистор КТ840Б

  • Транзистор КТ840Б
Артикул: 28851
на складе (3 шт.)
30 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 1,50 грн. 5 28,50 грн.
50+ 3 грн. 10 27 грн.
100+ 6 грн. 20 24 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ840Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 750 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера:не более 3 мА (750В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность60Вт
Тип корпуса транзистораTO3
Тип монтажаDIP
Вес г.17.5
Заводская упаковка40шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 350В
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току10
Частота8МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.