Транзистор П216Б

  • Транзистор П216Б
Артикул: 26933
нет на складе
12 грн.
Повідомити про наявність
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 0,60 грн. 5 11,40 грн.
50+ 1,20 грн. 10 10,80 грн.
100+ 2,40 грн. 20 9,60 грн.

Основные технические характеристики транзистора П216Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом.

БрендСНГ
СтруктураPNP
Тип транзистора Биполярный
Мощность24Вт
Тип монтажаDIP
Вес г.10
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 30В
Ток коллектора7,5A
Коэффициент усиления по току10
Частота0,1МГц

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.