Транзистор КТ819ВМ

  • Транзистор КТ819ВМ
Артикул: 28764
на складе (20 шт.)
75 грн.
Доступные скидки
Название Скидка Скидка, % Цена
10+ 3,75 грн. 5 71,25 грн.
50+ 7,50 грн. 10 67,50 грн.
100+ 15 грн. 20 60 грн.

Основные технические характеристики транзистора КТ819ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.

БрендСНГ
СтруктураNPN
Тип транзистора Биполярный
Мощность100Вт
Тип корпуса транзистораTO3
Тип монтажаDIP
Вес г.16
Заводская упаковка20шт.
Напряжение коллектор-эмиттер 70В
Ток коллектора20А

Оставьте отзыв об этом товаре первым!


Скидка− 0 грн.
Партнерская скидка− 0 грн.
Итого0 грн.

Ваша корзина пуста.